集成电路是指把整个电路中的元件制作在一块硅片上构成的电子电路。() 此题为判断题(对，错)。
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A、光刻B、刻蚀C、氧化D、溅射
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A、薄膜厚度B、图形宽度C、图形长度D、图形间隔
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
判断题集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。A对B错
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工
单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。A 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C 变成刻蚀介质以形成一个凹槽D 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对B错
判断题离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A对B错
判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。A对B错
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A扩散B化学机械抛光C刻蚀D离子注入
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错
单选题实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A光刻B刻蚀C氧化D溅射
填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
填空题微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
判断题离子注入的能量远低于离子刻蚀和离子溅射沉积。A对B错