由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

  • A、刻蚀速率
  • B、选择性
  • C、各向同性
  • D、各向异性

相关考题：

通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
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铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀
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干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
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举例说明各向同性和各向异性刻蚀的特点。
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微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
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晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A、刻蚀速率B、刻蚀深度C、移除速率D、刻蚀时间
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刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
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硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
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问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
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单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工
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问答题什么是干法刻蚀？
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问答题简述法刻蚀的优缺点（与湿法刻蚀比）。
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问答题列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？
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问答题简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。
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问答题什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？
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填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
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问答题简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点
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单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。Aa.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；Bb.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；Cc.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
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问答题干法刻蚀有高的还是低的选择比？
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问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
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判断题各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。A对B错
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判断题在各向同性刻蚀时，薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度，则必须采用各向异性刻蚀。A对B错
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判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A对B错
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问答题湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？
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问答题什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。
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判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错
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