判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废,给硅片制造公司带来损失。A对B错

判断题
不正确的刻蚀将导致硅片报废,给硅片制造公司带来损失。
A

B


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

“要向硅片挑战,DNA还有很长的路要走”的意思是( )。A.DNA的计算速度远远落后于硅片B.硅片的工作效率低于DNAC.DNA的配置不如硅片D.DNA蕴含的信息不如硅片蕴含的信息多

维德公司是一家太阳能电池制造商,核心材料是硅片,该公司每年需要硅片5000万片,外购成本每片3元。公司又有硅片生产部门有能力制造这种硅片,自制硅片的单位相关成本资料如下:要求:结合下列各种情况下,分别作出该公司是自制还是外购硅片的决策。1、如果公司现在具有足够的剩余生产能力,且剩余生产能力无法转移;2、如果公司现在具备足够的剩余生产能力,但剩余生产能力可以转移用于生产半导体,生产半导体的年利润为5000万元;3、如果公司目前只有生产硅片2000万片的生产能力,且无法转移,若自制5000万片,则需租入设备30台,月租金500万元;4、条件同(3),如果公司可以采用自制和外购外胎两种方式的结合,自制2000万片,超出的3000万片是否应该外购

例举硅片制造厂房中的7种玷污源。

净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如()的沾污。A、颗粒B、金属C、有机分子D、静电释放(ESD)E、水

沾污引起的电学缺陷引起(),硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。A、不会影响成品率B、晶圆缺陷C、成品率损失D、晶圆损失

大硅片上生长的()的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A、薄膜厚度B、图形宽度C、图形长度D、图形间隔

单晶硅硅片的制造过程?

将硅锭切割成硅片的过程中,多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为()μm。A、10B、20C、5D、15

判断题集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之,这些操作可以分为四大基本类:薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。A对B错

问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。

单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。A 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C 变成刻蚀介质以形成一个凹槽D 在大于3微米的情况下,混合发生化学作用与物理作用

填空题列出热氧化物在硅片制造的4种用途()、()、场氧化层和()。

判断题光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A对B错

判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对B错

填空题刻蚀是用()或()有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。

单选题硅片制备主要工艺流程是()A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

填空题芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区:扩散区、()、刻蚀区、()、()和抛光区。

判断题在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错

问答题将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺?

问答题一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短,请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什么意义?

问答题工厂中硅片(wafer)的制造过程可分哪几个工艺过程(module)?

填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片,称为硅片或()。在硅片制造厂,由硅片生产的半导体产品,又被称为()或()。

问答题列举用于硅片制造的5种常用掺杂。

单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

问答题为什么要用单晶进行硅片制造?

问答题例举硅片制造厂房中的7种玷污源。

问答题一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分?