下列5个能量选项中,哪些可能在光刻加工的曝光工艺中应用() A.电子束B.离子束C.激光束D.超声波E.等离子体
离子束加工包括( )。 A.离子束溅射去除加工B.离子束溅射镀膜C.离子束溅射注入D.离子束焊接
为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。A、磁分析器B、正交电磁场分析器C、静电偏转电极D、束流分析仪
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
示波管的电子枪发射出速度极高的（），轰击荧光屏而出现亮点。A、电子束B、离子束C、光子束D、电磁波
镜片镀减反射膜在高于200度的真空环境下，利用离子束轰击的真空镀膜技术。
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）A、电子束曝光技术B、离子束曝光技术C、X射线曝光技术
下列不属于离子束加工技术的是（）。A、离子束刻蚀B、离子束焊接C、离子注入技术D、离子束镀膜技术
离子束加工的物理基础是离子束投射到工件表面时所产生的（）、（）和（）。
离子束加工的物理基础是离子束投射到工件表面时所产生的（）效应、（）效应和（）效应。
单选题下列加工方法中，利用束流轰击工件表面，在工件表面添加磷硼制作P/N结的是（）A激光加工B离子束加工C超声加工D电子束加工
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工
判断题离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。A对B错
判断题光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A对B错
判断题离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。A对B错
填空题离子束加工的物理基础是离子束投射到工件表面时所产生的（）、（）和（）。
判断题离子束加工是利用离子束对材料进行成型或改性的加工方法。A对B错
填空题在离子束加工中，离子束投射到材料表面产生的两种效应是（）和（）。
填空题离子束加工的物理基础是离子束投射到工件表面时所产生的（）效应、（）效应和（）效应。
判断题镜片镀减反射膜在高于200度的真空环境下，利用离子束轰击的真空镀膜技术。A对B错
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化
填空题CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级 ；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为（）量级。
单选题光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。A电子束曝光技术B离子束曝光技术CX射线曝光技术
判断题离子束加工（如溅射、镀膜）是利用离子束的热效应来实现工件加工的。A对B错
单选题离子束加工技术利用注入效应加工的是（）A离子束刻蚀B溅射镀膜C离子镀D离子注入