单选题现代集成电路制造工艺中,主流掺杂技术为()A扩散B化学机械抛光C刻蚀D离子注入

单选题
现代集成电路制造工艺中,主流掺杂技术为()
A

扩散

B

化学机械抛光

C

刻蚀

D

离子注入


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目前集成电路中的主流产品采用CMOS工艺,请问CMOS的汉语全称是什么?

集成电路制造技术是嵌入式系统发展的重要基础,下面关于集成电路技术发展的叙述中,错误的是:()。A.单块集成电路的集成度平均每18~24个月翻一番B.集成电路的工作频率越来越高,功耗越来越低C.当前集成电路批量生产的主流技术已经达到45nm、32nm甚至更小的工艺水平D.集成电路批量生产使用的晶圆直径已经达到12~14英寸甚至更大

在大规模集成电路的制造中,更多采用的是MOS工艺集成电路,而不是双极型集成电路。

现代制造技术的发展也包含了机械制造工艺的变革与发展,因为制造工艺与加工方法是制造技术的核心和基础。()

按制造工艺集成电路分为()。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路

微电子技术是现代信息技术的基础之一,而微电子技术又以集成电路为核心。下列关于集成电路的叙述中,错误的是()A、集成电路是上世纪50年代出现的B、集成电路的许多制造工序必须在恒温、恒湿、超洁净的无尘厂房内完成C、集成电路均使用半导体硅材料D、集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切关系

PLC由于采用现代大规模集成电路技术,采用严格的生产工艺制造,内部电路采取了先进的抗干扰技术,具有很高的可靠性。

下列说法中错误的是()A、微电子技术以集成电路为核心B、硅是微电子产业中常用的半导体材料C、现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅D、制造集成电路都需要使用半导体材料

下列关于电子产业说法中错误的是()A、微电子技术以集成电路为核心B、硅是微电子产业中常用的半导体材料C、现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅D、制造集成电路都需要使用半导体材料

线宽是集成电路芯片制造中重要的技术指标,目前芯片制造的主流技术中线宽为()。A、几个微米B、几个纳米C、50纳米左右D、100纳米左右

CAD/CAM技术是人们利用计算机完成产品设计和()一项技术,是现代产品制造中的技术核心。A、加工B、制造C、控制D、工艺

填空题现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺,即最基本的器件是由()和NMOS组成。

判断题现代制造技术的发展也包含了机械制造工艺的变革与发展,因为制造工艺与加工方法是制造技术的核心和基础。()A对B错

单选题线宽是集成电路芯片制造中重要的技术指标,目前芯片制造的主流技术中线宽为()。A几个微米B几个纳米C50纳米左右D100纳米左右

填空题常规集成电路平面制造工艺主要由()、()、()、()、()等工艺手段组成。

单选题半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是()。A集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种,嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路B集成电路的制造大约需要几百道工序,工艺复杂且技术难度非常高C集成电路大多在硅衬底上制作而成,硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片D集成电路中的电路及电子元件,需反复交叉使用氧化,光刻,掺杂和互连等工序才能制成

单选题在较先进的集成电路制造工艺中,通常采()来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化

单选题在集成电路加工制造中,通常所指前道工艺为()A集成电路制造(晶圆加工)B集成电路封装C集成电路测试D集成电路设计

问答题在集成电路制造工艺中,轻掺杂漏(LDD)注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场,从而防止热载流子的产生?

填空题集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、()、封装等工序。

填空题集成电路制造工艺技术主要包括:热工艺、()、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

填空题集成电路制造中掺杂类工艺有()和()两种。

判断题双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。A对B错

判断题在现代集成电路加工技术中,主流的掺杂技术是扩散掺杂。A对B错

填空题现在,主流的掺杂技术是()

问答题集成电路制造工艺中,主要有哪两种隔离工艺?目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺,为什么?

判断题PLC由于采用现代大规模集成电路技术,采用严格的生产工艺制造,内部电路采取了先进的抗干扰技术,具有很高的可靠性。A对B错