通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

  • A、光刻胶
  • B、衬底
  • C、表面硅层
  • D、扩散区
  • E、源漏区

相关考题：

刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。
查看答案
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A、铜B、铝C、金D、二氧化硅
查看答案
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀
查看答案
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层
查看答案
下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。A、ARC可以是硅的氮化物B、可用干法刻蚀除去C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成
查看答案
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
查看答案
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
查看答案
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
查看答案
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
查看答案
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅
查看答案
（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A、刻蚀速率B、刻蚀深度C、移除速率D、刻蚀时间
查看答案
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅
查看答案
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性
查看答案
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
查看答案
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
查看答案
可以用浓硫酸刻蚀晶硅表面。
查看答案
问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
查看答案
问答题定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
查看答案
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工
查看答案
判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对B错
查看答案
填空题芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。
查看答案
问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
查看答案
判断题刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A对B错
查看答案
单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。Aa.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；Bb.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；Cc.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
查看答案
问答题刻蚀工艺的目的是什么，这个区中最常用的设备是什么？
查看答案
问答题从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？
查看答案
判断题各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。A对B错
查看答案
热门标签