填空题提拉出合格的单晶硅棒后,还要经过()、()、()等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。

填空题
提拉出合格的单晶硅棒后,还要经过()、()、()等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。

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相关考题:

硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

c-z法生产单晶硅棒工艺中,控制位错产生的工序是()。 A.上述说法均不对B.缩颈生长与尾部生长C.等径生长D.放肩生长

最早用于制造太阳能电池的半导体材料是()。 A.单晶硅B.晶体硅C.多晶硅

采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件,在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺,在单晶硅的特定方向扩散一组()电阻,并将电阻接成桥路。A、不等值B、等值C、线性值D、非线性值

叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。

现在计算机运算的基础是什么?()A、单晶硅B、芯片C、集成电路D、与或非运算

棒状单晶硅(经掺杂、直径63mm)

集成电路的基本制造工艺是:首先是对圆柱形的单晶硅进行切片,生产大片的(),并在其上制造出大量电路单元,然后按照制造的电路单元被切割成方形的()。

集成电路的基本制造工艺是:首先是对圆柱形的单晶硅进行(),生产大片的(),并在其上制造出大量电路单元。

目前大多数集成电路生产中,所采用的基本材料为()。A、非晶硅B、单晶硅C、多晶硅D、硫化镉

单晶硅棒和PN结的制造技术等,与()以及()等半导体制造技术有较多共同部分,且历史悠久,实际业绩突出。

()是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触,边缓慢旋转提拉,使结晶生长,最后得到长棒形状的单晶硅。A、直拉法B、铸锭法C、西门子法D、三氯氢硅还原法

工业中单晶硅的制备方法主要有()和区熔法(FZ法)

下面哪种不是单晶硅的制备方法()。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法

生料制备的主要任务是:将原料经过一系列加工过程后,制备具有一定(),化学成分符合要求,并且(),使其符合煅烧要求。

某企业生产一件成品,需要经过A、B、C、D四道工序,其中每道工序都需要投入一种原材料,其中A工序的原材料合格率90%,A工序的制造合格率为98%,B工序的原材料合格率为95%,B工序的制造合格率为95%,C工序的原材料合格率为93%,C工序的制造合格率为98%,D工序的原材料合格率为98%,D工序的制造合格率为95%,则该生产过程的RTY为()A、95%B、86.7%C、67.5%D、75.5%

电子工业用直径≥30cm单晶硅棒

最早用于制造太阳能电池的半导体材料是()。A、单晶硅B、晶体硅C、多晶硅

填空题集成电路的基本制造工艺是:首先是对圆柱形的单晶硅进行(),生产大片的(),并在其上制造出大量电路单元。

填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有()、()、()、()、()、()、()等。

单选题半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是()。A集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种,嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路B集成电路的制造大约需要几百道工序,工艺复杂且技术难度非常高C集成电路大多在硅衬底上制作而成,硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片D集成电路中的电路及电子元件,需反复交叉使用氧化,光刻,掺杂和互连等工序才能制成

单选题某企业生产一件成品,需要经过A、B、C、D四道工序,其中每道工序都需要投入一种原材料,其中A工序的原材料合格率90%,A工序的制造合格率为98%,B工序的原材料合格率为95%,B工序的制造合格率为95%,C工序的原材料合格率为93%,C工序的制造合格率为98%,D工序的原材料合格率为98%,D工序的制造合格率为95%,则该生产过程的RTY为()A95%B86.7%C67.5%D75.5%

填空题集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、()、封装等工序。

填空题集成电路的基本制造工艺是:首先是对圆柱形的单晶硅进行切片,生产大片的(),并在其上制造出大量电路单元,然后按照制造的电路单元被切割成方形的()。

填空题集成电路用单晶硅的主要制备方法是()

单选题目前大多数集成电路生产中,所采用的基本材料为()。A非晶硅B单晶硅C多晶硅D硫化镉

多选题以下哪些工艺应用的原子扩散的理论()A渗氮B渗碳C硅晶片掺杂D提拉单晶硅