采用CMOS结构实现逻辑运算 y=a’+b.c时,使用()个MOS器件

采用CMOS结构实现逻辑运算 y=a’+b.c时,使用()个MOS器件


参考答案和解析
PMOS管;NMOS管

相关考题:

CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对,错)。

微机化仪表中,若全部采用CMOS逻辑器件,则其噪声容限约为采用TTL逻辑器件时的( )倍。A.5倍B.3倍C.2倍D.1倍

CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?

通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件,由于这类器件对静电的敏感范围为(),所以机房必须采取防静电措施。 A.25~10000VB.25~5000VC.25~1000VD.25~500V

目前主要使用的是()与CMOS两种半导体成像器件。A、CCDB、MOSC、VIDICOMD、PAL

单极型集成电路不包含().A、普通晶体管(NPN管或PNP管)B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS(即CMOS)

晶体三极管和MOS管是同一个器件

CMOS漏极开路门的特点有()。A、输出MOS管的漏极是开路的B、可以实现线与功能C、可以用来实现逻辑电平转换D、带负载能力强

在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路

下面是关于CMOS(ComplemeMAry MetAl-OxiDe SemiConDuCtor一互联型金属氧化物半导体器件)的描述,正确的有()A、CMOS是一个小型的RAM,功耗低,在外界电源切断时,由主板上的电池供电B、CMOS中保存系统正常运行所需的参数,如果它们有误,计算机不能正常工作C、CMOS中的数据用户不能重新设置D、CMOS中的数据可以重新设置,但需要使用系统提供的专用程序SETUP

SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

当输出为TTL电平的串行或并行I/O器件与CMOS电路连接时,如果CMOS电路电源大于()V,则必须在这两种器件之间采用电平转换器。

通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件,由于这类器件对静电的敏感范围为(),所以机房必须采取防静电措施。A、25~10000VB、25~5000VC、25~1000VD、25~500V

采用5V电源的CMOS器件的高电平范围为(),低电平范围为:()

计算机板卡上的集成电路器件多采用MOS技术制造。

CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

兼有()和()两种增强型MOS电路称为CMOS电路。

问答题在CMOS电路里,MOS管一般采用何种类型?

填空题半导体器件隔离的种类有:();()和()三种。P-N结隔离适合()的器件。目前大多数CMOS器件采用()隔离,绝缘介质场区氧化层采用()工艺生长。

判断题Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。A对B错

问答题什么是MOS器件的体效应?

单选题通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件,由于这类器件对静电的敏感范围为(),所以机房必须采取防静电措施。A25~10000VB25~5000VC25~1000VD25~500V

判断题计算机板卡上的集成电路器件多采用MOS技术制造。A对B错

填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压,反向偏置电压增大,则MOS器件的阈值电压也随之增大,这种效应称为()

多选题CMOS漏极开路门的特点有()。A输出MOS管的漏极是开路的B可以实现线与功能C可以用来实现逻辑电平转换D带负载能力强

单选题目前主要使用的是()与CMOS两种半导体成像器件。ACCDBMOSCVIDICOMDPAL

问答题MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响?

问答题MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换,双极型器件是否也具有同样的特点?若没有,请说明原因。