按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为()。 A.单极型器件B.双极型器件C.复合型器件
静态随机存储器可以用双极型器件构成，也可以由MOS型器件构成。双极型器件与MOS型器件相比，下面哪一项不是它的特点( )A．工艺较简单B．集成度较低C．存取速度低D．功耗比较大
按照电力电子器件内部自由电子和空穴两种载流子参与导电的情况,可将电力电子器件分为( )。A、简单型器件B、单极型器件C、双极型器件D、复合型器件
场效应管从结构上看,源区和漏区是对称的,所以漏极和源极可以互换使用。() 此题为判断题(对，错)。
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式
下面可以作为开关使用的器件有？（）A、继电器B、晶体三极管C、MOS管D、LED灯
双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
构成反馈通路的元件（）。A、只能是电阻B、只能是晶体管、集成运放等有源器件C、只能是无源器件器件D、可以是无源元件，也可以是有源器件
场效应管属于（）型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是（）型器件。
场效应管是一种（）A、电压控制器件B、电流控制器件C、双极型器件D、少子工作的器件
下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极
电力电子器件GTR为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
多选题电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
问答题在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？
问答题MOS器件中用的最多的是哪种方向晶向，双极型用的最多的是哪几种？
多选题电力电子器件GTR为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
单选题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）A增大B减小C不变D先减小后增大
填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
单选题下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A是电压驱动型器件B也称为绝缘栅极双极型晶体管C属于全控型器件D三个极为漏极、栅极和源极