半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件
电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节,电气隔离一般采用( )隔离。 A.光B.油C.水D.气
下列说法正确的是()。A.光隔离器是一种只允许单向光通过的无源光器件B.光隔离器是一种只允许单向光通过的有源光器件C.光隔离器是一种只允许单一波长的光波通过的无源光器件D.光隔离器是一种允许不同光信号通过的无源光器件
目前主要使用的是（）与CMOS两种半导体成像器件。A、CCDB、MOSC、VIDICOMD、PAL
表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。（）
介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。A、多晶硅B、氮化硅C、二氧化硅
使用光电隔离器件时，如何做到器件两侧的电气被彻底隔离？
下列半年检测1次的项目有（）。A、补偿装置B、非常动隔离开关C、线岔D、分段、器件式分相绝缘器
合路器和POI各端口间隔离度主要决定因素有：（）A、器件体积B、器件原材料选用C、器件插入损耗D、器件工艺
在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离
高品质无源器件与普通器件的主要指标差异在（）。A、驻波比和功率容限B、驻波比和隔离度C、互调抑制和功率容限D、隔离度和功率容限
磁隔离的器件通常是（），当脉冲较宽时，为避免铁心饱和，常采用（）和（）的方法。
电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（）隔离。A、光B、油C、水D、气
在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题，通常主要采取的隔离措施包括：（）和（）。
开关量输入时都要采用隔离措施，最常用的隔离元器件是光电耦合器。
能做隔离电器是（）A、隔离开关B、隔离器C、熔断器D、半导体器件
填空题对于CMOS集成电路，通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式，如LOCOS（）或STI（）
多选题具有信号隔离功能的器件有（）。AIGBT（绝缘栅双极晶体管）B继电器C光电耦合器DMOSFET
问答题使用光电隔离器件时，如何做到器件两侧的电气被彻底隔离？
填空题磁隔离的器件通常是（），当脉冲较宽时，为避免铁心饱和，常采用（）和（）的方法。
单选题目前主要使用的是（）与CMOS两种半导体成像器件。ACCDBMOSCVIDICOMDPAL
单选题电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（）隔离。A光B油C水D气
问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？