填空题半导体器件隔离的种类有:();()和()三种。P-N结隔离适合()的器件。目前大多数CMOS器件采用()隔离,绝缘介质场区氧化层采用()工艺生长。

填空题
半导体器件隔离的种类有:();()和()三种。P-N结隔离适合()的器件。目前大多数CMOS器件采用()隔离,绝缘介质场区氧化层采用()工艺生长。

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半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件

电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节,电气隔离一般采用( )隔离。 A.光B.油C.水D.气

下列说法正确的是()。A.光隔离器是一种只允许单向光通过的无源光器件B.光隔离器是一种只允许单向光通过的有源光器件C.光隔离器是一种只允许单一波长的光波通过的无源光器件D.光隔离器是一种允许不同光信号通过的无源光器件

目前主要使用的是()与CMOS两种半导体成像器件。A、CCDB、MOSC、VIDICOMD、PAL

表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜,使器件的表面与周围气氛隔离。()

介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是()层。A、多晶硅B、氮化硅C、二氧化硅

简述隔离技术的原理及常用的隔离器件。

使用光电隔离器件时,如何做到器件两侧的电气被彻底隔离?

普通GSM直放站,上下行之间的隔离靠什么器件?

使用光电隔离器件要注意哪些问题?

光隔离器是两端口器件,光环行器是多端口器件。

下列半年检测1次的项目有()。A、补偿装置B、非常动隔离开关C、线岔D、分段、器件式分相绝缘器

合路器和POI各端口间隔离度主要决定因素有:()A、器件体积B、器件原材料选用C、器件插入损耗D、器件工艺

在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离

高品质无源器件与普通器件的主要指标差异在()。A、驻波比和功率容限B、驻波比和隔离度C、互调抑制和功率容限D、隔离度和功率容限

磁隔离的器件通常是(),当脉冲较宽时,为避免铁心饱和,常采用()和()的方法。

电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节,电气隔离一般采用()隔离。A、光B、油C、水D、气

在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括:()和()。

开关量输入时都要采用隔离措施,最常用的隔离元器件是光电耦合器。

能做隔离电器是()A、隔离开关B、隔离器C、熔断器D、半导体器件

填空题对于CMOS集成电路,通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式,如LOCOS()或STI()

多选题具有信号隔离功能的器件有()。AIGBT(绝缘栅双极晶体管)B继电器C光电耦合器DMOSFET

问答题使用光电隔离器件时,如何做到器件两侧的电气被彻底隔离?

填空题磁隔离的器件通常是(),当脉冲较宽时,为避免铁心饱和,常采用()和()的方法。

单选题目前主要使用的是()与CMOS两种半导体成像器件。ACCDBMOSCVIDICOMDPAL

单选题电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节,电气隔离一般采用()隔离。A光B油C水D气

问答题集成电路制造工艺中,主要有哪两种隔离工艺?目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺,为什么?