CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。

CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()

此题为判断题(对，错)。

相关考题：

在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

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结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

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70、MOS场效应管有增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道两种。

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2、简述MOS场效应管的基本组成，并简要说明N沟道增强型MOS场效应管与P沟道耗尽型MOS场效应管电路符号的特点。

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P沟道增强型MOS管开启电压大于零，N沟道增强型MOS管开启电压小于零。（）

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MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件，按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。

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6、MOS场效应管有增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道两种。

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4、N沟道增强型MOS管的开启电压VTN ＜ 0， P沟道耗尽型MOS的开启电压VTP ＞ 0。

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场效应管特性曲线仿真。要求： 1.分别选择一N沟道增强型MOS管、一P沟道耗尽型MOS管，仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线，寻找其差别。

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