通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件，由于这类器件对静电的敏感范围为（），所以机房必须采取防静电措施。A、25~10000VB、25~5000VC、25~1000VD、25~500V

通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件，由于这类器件对静电的敏感范围为（），所以机房必须采取防静电措施。

  • A、25~10000V
  • B、25~5000V
  • C、25~1000V
  • D、25~500V

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目前RAM多采用MOS型半导体集成电路芯片制成，PC中使用的RAM除DRAM芯片外，还使用 芯片。
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MOS是()的简称。 A、电荷耦合器件B、金属氧化物半导体C、电荷引动元件D、其他
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目前RAM多采用MOS型半导体集成电路芯片制成，PC机中使用的RAM除DRAM芯片外，还使用【 】芯片。
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CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?
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通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件,由于这类器件对静电的敏感范围为(),所以机房必须采取防静电措施。 A.25~10000VB.25~5000VC.25~1000VD.25~500V
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目前主要使用的是（）与CMOS两种半导体成像器件。A、CCDB、MOSC、VIDICOMD、PAL
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整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
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单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路
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不间断电源UPS电能转换电路不论是主电路还是其他控制电路，均采用“（）”。A、三极管器件B、集成电路器件C、半导体固体器件D、二极管
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SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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当输出为TTL电平的串行或并行I/O器件与CMOS电路连接时，如果CMOS电路电源大于（）V，则必须在这两种器件之间采用电平转换器。
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计算机板卡上的集成电路器件多采用MOS技术制造。
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CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
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下列电路属于单极型器件集成的应是（）.A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路
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兼有（）和（）两种增强型MOS电路称为CMOS电路。
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填空题对于CMOS集成电路，通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式，如LOCOS（）或STI（）
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问答题在CMOS电路里，MOS管一般采用何种类型？
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填空题闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作时，由于（）的突然被激发，器件电流突然（），甚至很快因Al（），使电路失效。
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填空题半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。
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判断题Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。A对B错
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判断题在门电路器件中，“74”指该器件为TTL电路类型、“40”指该器件为CMOS电路类型。A对B错
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填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
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单选题通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件，由于这类器件对静电的敏感范围为（），所以机房必须采取防静电措施。A25~10000VB25~5000VC25~1000VD25~500V
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判断题计算机板卡上的集成电路器件多采用MOS技术制造。A对B错
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单选题目前主要使用的是（）与CMOS两种半导体成像器件。ACCDBMOSCVIDICOMDPAL
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