问答题在CMOS电路里，MOS管一般采用何种类型？

问答题
在CMOS电路里，MOS管一般采用何种类型？

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从功耗看CMOS电路和晶体管电路相比()。 A.CMOS电路高得多B.CMOS电路低得多C.两者差不多D.不确定
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CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
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CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。() 此题为判断题(对，错)。
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CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?
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通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件,由于这类器件对静电的敏感范围为(),所以机房必须采取防静电措施。 A.25~10000VB.25~5000VC.25~1000VD.25~500V
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增强型MOS管放大电路，为何不可采用自给栅偏压的结构形式？
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在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
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单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路
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在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
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晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
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CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。
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TTL集成电路，（）。A、采用的是金属-半导体-MOS场效应管逻辑B、采用的是晶体管-晶体管逻辑C、电源一般为+5VD、电源一般为-5VE、电源一般为+9V
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结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。
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从功耗看CMOS电路和晶体管电路相比（）。A、CMOS电路高得多B、CMOS电路低得多C、两者差不多D、不确定
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通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件，由于这类器件对静电的敏感范围为（），所以机房必须采取防静电措施。A、25~10000VB、25~5000VC、25~1000VD、25~500V
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CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
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CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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兼有（）和（）两种增强型MOS电路称为CMOS电路。
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多选题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
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填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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单选题在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A互补MOS与非门电路BCMOS与非门电路
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单选题通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件，由于这类器件对静电的敏感范围为（），所以机房必须采取防静电措施。A25~10000VB25~5000VC25~1000VD25~500V
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判断题CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。A对B错
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