在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对，错)。
什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2B.0.20.3C.0.50.1D.0.50.4
在功率管开通过程中，使功率管的电流为零，或限制其电流的上升，从而减小电流与电压的交迭区域，称为（）.A、零电流开启B、零电流关断C、零电压开启D、零电压关断
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
PMOS管的开启电压UT为（）。A、正值B、负值C、零值D、正负值都有可能
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
在CMOS电路中，通常包含两个增强型的PMOS管，一个作为驱动管，一个作为负载管。
下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
二极管两端正向电压大于（）时，二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
肖特基二级管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。
在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure0）。A、大于B、小于C、等于D、任意
NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错
填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A正极性B负极性C零D不能确定