一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对，错)。
晶体二极管所加正向电压小于其截止区电压时，则二极管处于（）状态。A、导通B、截止C、电击穿D、热击穿
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
欲使导通的晶闸管关断，错误的做法是（）。A、在阳极、阴极间加反向电压B、撤去门极电压C、将阳极、阴极间电压减小至小于维持电流D、减小阳极电流使其小于维持电流
欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结（）偏，同时使集电结（）偏。
欲使导通晶闸管切断，错误的作法是（）。A、阳极阴极间加反向电压B、撤去门极电压C、将阳极阴极间正压减小至小于维持电流D、减小阳极电流，使其小于维持电流
要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。A、对地阻抗极大B、对地有数uF的电容C、对地有很高的电压D、以上都正确
对于CMOS门电路，无论输入电平V1是高电平还是低电平，两个MOS管工作（）A、都是导通状态B、都是截止状态C、一个在导通状态而另一个在截止状态D、无法判断
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
欲使导通晶闸管关断，错误的做法是（）。A、阳极阴极间加反向电压B、将阳极阴极间正压减小至小于维持电压C、撤去门极电压D、减小阴极电流，使其小于维持电压
在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure0）。A、大于B、小于C、等于D、任意
NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
单选题对于二极管来说，以下说法错误的是（）。A正向电阻很小B反向电阻很大C无论加多大的反向电压，都不会导通D所加正向电压大于死区电压时，二极管才真正导通
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错
单选题在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A互补MOS与非门电路BCMOS与非门电路
问答题MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？