增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零
场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。A．CMOS场效应管B．PMOS场效应管C．NMOS场效应管D．二簧继电器
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2B.0.20.3C.0.50.1D.0.50.4
在功率管开通过程中，使功率管的电流为零，或限制其电流的上升，从而减小电流与电压的交迭区域，称为（）.A、零电流开启B、零电流关断C、零电压开启D、零电压关断
设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（）A、I=SeUB、I=U/RC、I=Is*（（e，Ud/Ut）-1）
在实际安装与维修设备时主要考虑的是晶闸管的（）。A、正向平均管压降UT（AV）B、维持电流IHC、反向重复峰值电压URRMD、额定电压URRME、额定电流IT（AV）
在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
蒂森电梯DAF290主机电磁抱闸的供电开启电压为（），维持电压为（）。
电气化铁道用避雷器的额定电压UT为（）。A、42≤UT≤84B、60≤UT≤207C、90≤UT≤468D、5≤UT≤108
在CMOS电路中，通常包含两个增强型的PMOS管，一个作为驱动管，一个作为负载管。
晶闸管的主要参数有（）。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT（AV） D、通态平均管压降UT（AV） E、维持电流IH
某电站的输出功率为P，输电线的电阻为R，若用电压U送电，则在t秒内导线上消耗的电能为（）。A、Ut/RB、0.24PtC、Ut/PD、（P/U）Rt
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
555集成定时器构成的施密特触发器，当电源电压为15V时，其回差电压⊿UT值为（）。A、15VB、10VC、5VD、2.5V
下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
二极管两端正向电压大于（）时，二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压
肖特基二级管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。
NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
单选题电气化铁道用避雷器的额定电压UT为（）。A42≤UT≤84B60≤UT≤207C90≤UT≤468D5≤UT≤108
判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错
填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。A对B错