二极管的单向导电性是指:() A、外加正向电压导通，加反向电压截止。B、外加正向电压截止，加反向电压导通。C、外加正向电压导通，加反向电压导通。
一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
晶闸管的导通与否只与门极加电压有关，与其两端所加电压无关。
晶体二极管所加正向电压小于其截止区电压时，则二极管处于（）状态。A、导通B、截止C、电击穿D、热击穿
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路
晶闸管的导通与否只与门极加电压有关，与其两闻风而端所加电压无关。
晶闸管的导通与否与门极加电压有关，与其两端所加电压无关。
在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结（）偏，同时使集电结（）偏。
要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
当压敏电阻两端所加电压大于压敏电压时，压敏电阻（），呈低阻状态。A、击穿导通B、中断导通C、击穿旁路D、中断旁路
源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。A、对地阻抗极大B、对地有数uF的电容C、对地有很高的电压D、以上都正确
二极管两端正向电压大于（）时，二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
单选题对于二极管来说，以下说法错误的是（）。A正向电阻很小B反向电阻很大C无论加多大的反向电压，都不会导通D所加正向电压大于死区电压时，二极管才真正导通
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错
单选题对于晶体二极管来说，以下说法错误的是（）。A正向电阻很小B无论加多大的反向电压，都不会导通C未被反向击穿前，反向电阻很大D所加正向电压大于死区电压时，二极管才算真正导通
问答题MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？