增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零
MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对，错)。
场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。A．CMOS场效应管B．PMOS场效应管C．NMOS场效应管D．二簧继电器
在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路
PMOS管的开启电压UT为（）。A、正值B、负值C、零值D、正负值都有可能
在CMOS电路中，通常包含两个增强型的PMOS管，一个作为驱动管，一个作为负载管。
下列门电路工作速度最快的一种是（）。A、TTLB、CMOSC、NMOSD、PMOS
下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
问答题为什么在相同工艺条件和相同几何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度，理论上N管和P管要满足什么条件？
问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。
单选题在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A互补MOS与非门电路BCMOS与非门电路
判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错
填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。