NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
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在选取DDZ－Ⅱ型温度变送器调制管用场效应管V1时,应选用栅漏极间分布电容小的管,以免微分作用使后面的交流放大器不能正常地工作。另外、场效应管的栅极控制电压的幅值也不允许太大。() 此题为判断题(对，错)。
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下，栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。（）对阳极电流的控制能力越强。A、S越大，说明栅极电压B、S越大，说明栅极电流C、S越小，说明栅极电压D、S越小，说明栅极电流
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错