在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型
B、P沟道耗尽型
C、P沟道增强型
D、N沟道增强型
相关考题:
某结型场效应管的夹断电压为3V,源极电位1V,栅极电位3V,漏极电位-10V,则下述关于该FET说法正确的是()。A.P沟道管,工作在可变电阻区B.N沟道管,工作在放大区C.P沟道管,工作在放大区D.N沟道管,工作在可变电阻区
某结型场效应管的夹断电压为-3V,源极电位3V,栅极电位-1V,漏极电位10V,则下述关于该FET说法正确的是()。A.P沟道管,工作在可变电阻区B.N沟道管,工作在放大区C.P沟道管,工作在截止区D.N沟道管,工作在截止区