晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。A.0.7B.0.5C.0.3D.0.1
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。A、0.1；0.2B、0.2；0.3C、0.5；0.1D、0.5；0.4
晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。
二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
单选题二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。A0.1；0.2B0.2；0.3C0.5；0.1D0.5；0.4
判断题锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）A对B错
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。A对B错
判断题硅二极管的正向电压约为0.2V。（）A对B错