半导体与绝缘体有十分类似的能带机构,只是半导体的禁带宽度要窄得多。() 此题为判断题(对，错)。
对ZnO性质和应用描述错误的是()。 A、禁带宽度比较大B、间接带隙C、可以作蓝光LEDD、可以作透明电极
若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。A、1.12B、2.14C、1.42D、0.92
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
布里渊区的界面附近，费米面和能级密度函数有何变化规律？哪些条件下会发生禁带重叠或禁带消失现象？试分析禁带的产生原因。
单选题材料的禁带宽度，最大的是（）A金属；B杂质半导体；C绝缘体；D本征半导体；
填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
单选题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A比半导体的大B比半导体的小C与半导体的相等
判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A对B错
单选题在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。A禁带较窄B禁带较宽C禁带是间接跃迁型D禁带是直接跃迁型
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A禁带B满带C导带D价带
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题异质结太阳能电池通常（）。A禁带宽度完全相同的两种材料组成B由禁带宽度不同的两种材料组成C由一种材料构成