单选题在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其()。A禁带较窄B禁带较宽C禁带是间接跃迁型D禁带是直接跃迁型

单选题
在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其()。
A

禁带较窄

B

禁带较宽

C

禁带是间接跃迁型

D

禁带是直接跃迁型


参考解析

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已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W,一个光子的能量为2.24×10-19 J,电子电荷量为1.6×10-19 C,则该光电二极管的量子效率为()A.40%B.50%C.60%D.70%

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填空题()和()是半导体器件的最常用掺杂方法。()、()是Si常用的施主杂质;()是Si常用的受主杂质;()是GaAs常用的P型掺杂剂;()是GaAs常用的N型掺杂剂。

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