单选题在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其()。A禁带较窄B禁带较宽C禁带是间接跃迁型D禁带是直接跃迁型
单选题
在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其()。
A
禁带较窄
B
禁带较宽
C
禁带是间接跃迁型
D
禁带是直接跃迁型
参考解析
解析:
暂无解析
相关考题:
已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W,一个光子的能量为2.24×10-19 J,电子电荷量为1.6×10-19 C,则该光电二极管的量子效率为()A.40%B.50%C.60%D.70%
单选题己知某Si-PIN光电二极管的响应度RO-0.5A/W,一个光子的能量为2.24×10-19J,电子电荷量为1.6×10-19C,则该光电二极管的量子效率为()A40%B50%C60%D70%
单选题对于光电发射效应,下列说法不正确的是()A光电发射效应,又称外光电效应B金属光电发射量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区C半导体光电发射的量子效率远高于金属:光电发射的过程是体积效应,表面能带弯曲降低了电子逸出功,特别是负电子亲和势材料(NEA)D良好的光电发射体,应该具备的基本条件之一是表面势垒高
单选题在内光电效应材料中:()A入射光波长越长,光吸收系数越大,量子效率越高;B入射光波长越长,光吸收系数越小,量子效率越低;C入射光波长越短,光吸收系数越大,量子效率越高;D随着入射光波长由长变短,光吸收系数越来越大,但量子效率则由低到高后,又随波长变短而越来越低;
填空题按硅成分光伏组件()、()以及()等。通常情况其光电转换效率最高的是(),光电转换效率最低的是()