在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
若光子的能量等于E，则光子的动量大小等于_____。
半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）
光电效应中，光电子动能等于（）A、零B、电子结合能C、入射光子能量D、入射光子能量加上电子结合能E、入射光子能量减去电子结合能
下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
一能量为300千电子伏的光子进入原子中，使一轨道电子脱离50千电子伏的结合能后，又给这个电子50千电子伏的能量使其飞出轨道，则新的光子能量是200千电子伏。
在特定位置光子束对轨道电子的能量转移，不会导致在相同位置能量被介质吸收，这是因为（）A、光子强度B、光子能量C、次级电子有射程D、次级电子强度E、次级电子能量
导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。A、辐射复合B、俄歇复合C、通过复合中心复合D、以上三种都可以
入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。
为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。
填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
填空题受主获取电子的能量状态，处于禁带中价带顶附近，称为（）。
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
单选题一个氢原子从n=3能级跃迁到n=2能级，该氢原子（）。A放出光子，能量增加B放出光子，能量减少C吸收光子，能量增加D吸收光子，能量减少
单选题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A比半导体的大B比半导体的小C与半导体的相等
判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A对B错
单选题光照到某些金属或半导体材料上，若入射的光子能量足够大，致使电子从材料中逸出，称为（）效应。A光电导效应；B光生伏特效应；C内光电效应；D光电发射。
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A禁带B满带C导带D价带
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带，这一过程称为（）A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D晶格吸收
单选题掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为（）A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D晶格吸收