P型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的。A.硅元B.锗元素C.三价硼元素D.五价锑元素
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
P型半导体是本征硅（Si）内掺入微量的五价元素磷（P）制成的。
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A、三价B、四价C、五价
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
在本征硅（或锗）中掺入微量的（）价元素，便可形成N型半导体。A、五B、四C、三D、二
P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。
CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。
本征半导体和杂质半导体中都存在（）现象，产生（），在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流（在常温下）。
非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（）A、1.6--1.7eVB、1.5--1.6eVC、1.7--1.8eVD、1.1--1.2eV
P型半导体是在本征半导体（硅、锗；四价）中加入微量的（）构成的。A、三价（硼）B、四价C、五价（磷）D、六价
P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的。A、硅元B、锗元素C、三价硼元素D、五价锑元素
掺有杂质的半导体称为（）。A、本征半导体B、天然半导体C、杂质半导体D、硅半导体
单选题材料的禁带宽度，最大的是（）A金属；B杂质半导体；C绝缘体；D本征半导体；
填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
单选题已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（）A0.886JB0.886eVC886JD886eV
判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A对B错
填空题本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV，它能吸收的辐射的最大波长为（）。（普朗克恒量h＝6.63×10-34J·s，1eV＝1.6×10-19J）
单选题已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为（）。A0.886eVB1eVC2eVD1.3eV