动态补偿力矩与带材宽度、卷材卷径及带材加速度有关,尤其与带材宽度关系最大。() 此题为判断题(对，错)。
非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
对ZnO性质和应用描述错误的是()。 A、禁带宽度比较大B、间接带隙C、可以作蓝光LEDD、可以作透明电极
若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
V带的型号与（）有关。A、长度B、宽度C、截面积D、材料
空心阴极灯中，对发射线半宽度影响最大的因素是( )。A、阴极材料B、阳极材料C、填充气体D、灯电流
对空心阴极灯发射线半宽度影响最大的因素是（）。A、阴极材料B、阳极材料C、灯电流D、内充气体
与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
布里渊区的界面附近，费米面和能级密度函数有何变化规律？哪些条件下会发生禁带重叠或禁带消失现象？试分析禁带的产生原因。
孤立原子相互靠近时，为什么会发生能级分裂和形成能带？禁带的形成规律是什么？何为材料的能带结构？
单选题金属材料断后横截面测定，对于距形横截面试样，测量缩颈处的（）。A最小宽度和最小厚度B最小宽度和最大厚度C最大宽度和最大厚度D最大宽度和最小厚度
单选题在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。A禁带较窄B禁带较宽C禁带是间接跃迁型D禁带是直接跃迁型
问答题期性结构的材料是否存在光子禁带主要取决于哪三个因素？
单选题异质结太阳能电池通常（）。A禁带宽度完全相同的两种材料组成B由禁带宽度不同的两种材料组成C由一种材料构成
单选题已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为（）。A0.886eVB1eVC2eVD1.3eV
判断题发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。A对B错