N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
肌肉收缩时肌小节的变化是( )A.明、暗带均变窄B.明、暗带均不变C.明带不变、暗带变窄D.暗带不变，明带变窄E.暗带变宽
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
肌肉收缩时肌小节的变化（）A、明、暗带均变窄B、明、暗带均不变C、明带不变，暗带变窄D、暗带不变，明带变窄E、暗带不变，明带变宽
什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
在肌肉收缩时，明带和暗带的变化是（）A、明带变宽、暗带变窄B、明带变窄、暗带变宽C、明带变窄、暗带不变D、明带不变、暗带变窄
半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）A、In掺杂的GeB、As掺入GeC、As掺入SiD、InSb中，Si占据Sb的位置E、GaN中，Mg占据Ga的位置
关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B、在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C、p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
横纹肌和心肌都有横纹，其收缩时明带和暗带的变化是（）A、暗带变宽、明带不变B、明带变窄、暗带不变C、明带和暗带都变窄D、明带变窄、暗带变宽
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
单选题半导体中的少数载流子产生的原因是（）A外电场B内电场C掺杂D热激发
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A禁带B满带C导带D价带
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题掺杂型探测器是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A禁带B分子C粒子D能带
单选题肌肉收缩时肌小节的变化（）A明、暗带均变窄B明、暗带均不变C明带不变，暗带变窄D暗带不变，明带变窄E暗带不变，明带变宽