光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上。

光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上。

参考答案和解析
正确

相关考题：

在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
查看答案
解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
查看答案
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
查看答案
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
查看答案
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
查看答案
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
查看答案
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
查看答案
名词解释题光刻胶
查看答案
填空题光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
查看答案
问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。
查看答案
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
查看答案
问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？
查看答案
问答题什么是负光刻胶？
查看答案
问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
查看答案
名词解释题正光刻胶
查看答案
判断题光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A对B错
查看答案
判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对B错
查看答案
问答题解释硬烘烤的目的。光刻胶硬烘烤过度和不足会产生什么问题？
查看答案
问答题简述有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域。
查看答案
问答题简述光刻胶的概念及目的
查看答案
问答题简述光刻胶的成分特征。
查看答案
问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
查看答案
判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A对B错
查看答案
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错
查看答案
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
查看答案
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
查看答案
多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
查看答案
问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
查看答案
热门标签