名词解释题光刻胶

名词解释题
光刻胶

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光刻胶主要由()等不同材料混合而成的。A、树脂B、感光剂C、HMDSD、溶剂E、PMMA

解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?

解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷

用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是()。A、化学增强B、化学减弱C、厚度增加D、厚度减少

问答题列出光刻胶的四种成分

问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

问答题什么是负光刻胶?

问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

名词解释题正光刻胶

判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对B错

问答题解释硬烘烤的目的。光刻胶硬烘烤过度和不足会产生什么问题?

问答题简述光刻胶的概念及目的

问答题列出并描述I线光刻胶的4种成分。

问答题简述光刻胶的成分特征。

问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A对B错

判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错

问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?

问答题如果光刻胶对光的吸收过多侧墙会怎样?

问答题典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少?

问答题列出并描述两种主要的光刻胶。

问答题根据成像结果的不同,光刻胶可分为哪两种类型,其中哪种成本较低且应用较早?