以下正确的光刻工艺流程是A.底膜处理-涂胶-前烘-曝光-显影-坚膜-刻蚀-去胶B.底膜处理-前烘-涂胶-曝光-显影-坚膜-刻蚀-去胶C.底膜处理-涂胶-前烘-显影-曝光-坚膜-刻蚀-去胶D.底膜处理-涂胶-前烘-曝光-显影-坚膜-去胶-刻蚀

以下正确的光刻工艺流程是

A.底膜处理-涂胶-前烘-曝光-显影-坚膜-刻蚀-去胶

B.底膜处理-前烘-涂胶-曝光-显影-坚膜-刻蚀-去胶

C.底膜处理-涂胶-前烘-显影-曝光-坚膜-刻蚀-去胶

D.底膜处理-涂胶-前烘-曝光-显影-坚膜-去胶-刻蚀


参考答案和解析
底膜处理→涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶

相关考题:

简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。

简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

解释扫描投影光刻机是怎样工作的?扫描投影光刻机努力解决什么问题?

什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?

解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

简述光刻工艺流程。

简述4次光刻的工艺流程。

简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。

述5次光刻中第5次像素电极光刻形成的ITO的作用。

什么是纳米光刻?

问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

问答题什么是正光刻胶,负光刻胶?

问答题什么叫做光刻,光刻有何目的?

问答题什么是光刻?光刻的主要流程有哪些?

填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为()的g线和()的i线,适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用()的KrF和()的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错

问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?

填空题光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。

问答题简述正性光刻和负性光刻的概念?优缺点?

问答题什么是光刻,光刻系统的主要指标有那些?

问答题什么是负性光刻?正性光刻?

问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。

问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺?光刻的三个要素是什么?

问答题什么是光刻加工技术?试简述光刻加工的原理和工艺流程。

多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀

问答题后光刻时代有那些光刻新技术?