场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
当实际电流源的内阻Rs与负载电阻RL的关系为()时,可作为理想电流源处理。 A、Rs=RLB、RsC、Rs>>RLD、Rs
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
开关电源中MOSFET管稳态工作时,栅板控制电流很小。() 此题为判断题(对，错)。
功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
开关电源中MOSFET管稳态工作时，栅板控制电流很小。（）
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
在MOS管保存和焊接时的注意事项是（）；A、在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使三个电极短接。B、在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使栅源两极短接。C、在保存及焊接时，要在栅漏之间保持直流通路，最好使栅漏两极短接。
倒车灯与蜂鸣器呈（）关系，当蜂鸣器（），线圈通电时，倒车灯处于被（）状态，灯光（）；当蜂鸣器（），线圈断电时，倒车灯承受全部电源电压，电流（），倒车灯（）。
场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。A、驱动信号的前后沿陡峭B、驱动信号的电压应高于开启电压C、信号电压应低于栅源击穿电压D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
填空题倒车灯与蜂鸣器呈（）关系，当蜂鸣器（），线圈通电时，倒车灯处于被（）状态，灯光（）；当蜂鸣器（），线圈断电时，倒车灯承受全部电源电压，电流（），倒车灯（）。
填空题同时减小（）与（），可在保持漏源间电流不变的前提下减小器件面积，提高电路集成度。因此，缩短MOSFET尺寸是VLSI发展的趋势。
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错
判断题对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。A对B错
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。