场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板
一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。 A.原极；B.漏极；C.栅极；
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
（）不是场效应管的电极.A、阳极B、源极C、漏极D、栅极
场效应管的三个极分别为？（）A、发射极B、栅极C、源极D、漏极
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
场效应管放大电路以（）之间的信号作为输入信号。A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。A、漏极B、正极C、负极D、源极
场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。A、原极；B、漏极；C、栅极；
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。A、电压B、电流C、电阻D、电感
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，同时在基极上也施加正电压，那么（）。A、集电极电流导通B、基极电流导通C、发射极电流导通D、电流都不导通
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
功率场效应管的三个引脚符号为（）A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
单选题电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。A电压B电流C电阻D电感
多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错