场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。() 此题为判断题(对，错)。
开关电源中MOSFET管稳态工作时,栅板控制电流很小。() 此题为判断题(对，错)。
开关电源的取样和稳压控制电路产生的误差电压或电流用于控制开关管的（）。A、导通时间B、集电极电压C、静态工作点D、输出电流
开关电源按其所用开关器可分为IGBT开关电源、双极型晶体管开关电源和（）开关电源。A、MOSFET管B、二极管C、三极管D、单结晶体管
艾默生开关电源的DC/AC变换器中，以下不作为功率开关管使用的时（）。A、SCRB、IGBTC、MOSFET
功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
MOSFET晶体管属于（）器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004
二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
艾默生开关电源的DC/AC变换器中，以下不作为功率开关管使用的是（）。A、SCRB、IGBTC、MOSFET
开关电源的取样和稳压控制电路产生的误差电压（电流）用于控制开关管的（）A、导通时间B、集电极电压C、静态工作点D、输出电流
高频开关电源中，常用的电力电子器件为（）A、二极管B、MOSFET、IGBTC、电感D、电容
开关电源中采用的MOSFET功率管，功耗较大。（）
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。A、GTOB、GTRC、二极管D、GBT
在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。AGTO和GTR；BTRIAC和IGBT；CMOSFET和IGBT；DSCR和MOSFET；
单选题绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”