填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。

填空题
为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。

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按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道
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场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
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增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
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对沟道效应，沿着主晶轴方向入射时，角分布半宽度的典型值为多少。
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使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
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当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
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场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
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EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
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名词解释题离子注入的沟道效应
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问答题简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？
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填空题阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。
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名词解释题短沟道效应
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问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
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问答题描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。
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问答题什么是短沟道效应？有哪些设计和工艺措施可以降低短沟道效应？
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填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
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问答题什么是沟道效应？抑制方法？
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问答题什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
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问答题如何降低沟道效应？
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填空题（）称为沟道效应，可以用（）、（）和（）来避免。其中，（）是最常用的方法。
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名词解释题沟道效应
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填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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名词解释题短沟道效应（Short Channel Effect）
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多选题按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）A耗尽型B增强型CP沟道DN沟道
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填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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