填空题在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

填空题
在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

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相关考题:

场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道

场效应管的沟道完全夹断后,其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0

MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板

功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。A、漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量B、漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量C、基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量D、漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量

由两个N区夹着一个P区,漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子,我们称其为N型沟道场效应管。

功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。

耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。

场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈()关系。

JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变()的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面()的多少,从而控制漏极电流的大小。

三极管工作在饱和区时,由于集电极电流较大所以也有放大作用。

漏极饱和电流

MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的()、前者的饱和区对应后者的()、前者的非饱和区对应后者的()。

利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。

名词解释题漏极饱和电流

判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错

填空题P沟道MOSFET的衬底是()型半导体,源区和漏区是()型半导体,沟道中的载流子是()。

多选题按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?()A耗尽型B增强型CP沟道DN沟道

多选题功率MOSFET的极限参数指的是()。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压

填空题由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。

判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错

填空题PMOS是在()上形成P型沟道的MOSFET晶体管。

单选题在短沟道MOS器件中,当器件工作在饱和区,源漏电压升高,会使源漏电流()A增大B减小C不变D先减小后增大

填空题为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。