判断题对于处于饱和区的MOS晶体管,漏源电流随其宽长比的增大而增大。A对B错

判断题
对于处于饱和区的MOS晶体管,漏源电流随其宽长比的增大而增大。
A

B


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当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时,晶体管处于______。A.放大区B.饱和区C.截止区D.放大或饱和区

混合加热循环的理论热效率( )。A.随压缩比增大而减小.随初膨胀比增大而增大B.随压力升高比和初膨胀比减小而减小,随绝热指数增大而增大C.随压力升高比和初膨胀比增大而增大D.随压缩比和压力升高比增大而增大,随初膨胀比减小而增大

场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压

爆破地震波强度随爆破药量的增大而增大,随爆源距离的增大而增大。() 此题为判断题(对,错)。

晶体管处于饱和状态时,它的集电极电流将()。 A、随基极电流的增加而增加B、随基极电流的增加而减小C、与基极电流变化无关,只决定于Ucc和Rc

砌体结构的受压承载力影响系数φ(  )。A.随高厚比的增大而减小B.随高厚比的增大而增大C.随相对偏心距的增大而增大D.与材料强度等级无关

A.截止区IB≤0,饱和区IC不随,IB的增大或减小而变化,放大区IC随IB的控制而变化B.截止区IB≈0,饱和区IC随IB的增大或减小而变化,放大区IC随IB的控制而变化C.截止区IB≤0,饱和区IB随IC的增大或减小而变化,放大区IC随IB的控制而变化D.截止区IB≤0,饱和区IC随IB的增大或减小而变化,放大区IB随IC的控制而变化

下列说法错误的是()。A、摩尔吸光系数随浓度增大而增大B、吸光度A随浓度增大而增大C、透射比T随浓度增大而减小D、透射比T随比色皿加厚而减小

爆破地震波强度随爆破药量的增大而增大,随爆源距离的增大而增大。

循环热效率ηt随压缩比ε增大而();随预膨胀比ρ值增大而明显()

在晶体二极管的反向截止区、反向电流随反向电压的增大而迅速增大。()

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饱和蒸汽溶解携带的特点是()。A、有选择性B、随锅炉压力增大而减小C、随锅炉压力增大而增大D、饱和蒸汽不能溶解盐类

饱和蒸汽对硅酸的溶解携带量与饱和蒸汽的压力之间的关系为()A、无关B、随压力增大而增大C、随压力增大而减小D、不确定

天然气在石油中的溶解度比水中要大,并()。A、随温度升高而增大,随压力增大而增大B、随温度升高而增大,随压力增大而减小C、随温度升高而减小,随压力增大而减小D、随温度升高而减小,随压力增大而增大

饱和水随其压力的增高,()A、比容减小B、比熵变小C、温度升高D、比焓增大

晶闸管具有阳极电流随控制极电流增大而按比例增大的特性。

具有反时限特性的电流继电器,其动作时限随电流的增大而()。A、增大B、减小C、不变

苯的微小液滴的饱和蒸气压p+r()。A、随温度升高而增大B、随半径减小而增大C、比同温度下液体苯的饱和蒸气压小D、可用拉普拉斯方程计算

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填空题极化电压随Al2O3浓度的增加而减小,随分子比的升高而降低,随阳极电流密度增大而增大,极化电压一般为()。

多选题关于高宽长比MOS管的版图,下列说法正确的是()A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。

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