JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变()的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面()的多少,从而控制漏极电流的大小。

JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变()的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面()的多少,从而控制漏极电流的大小。


相关考题:

当PN结外加正向电压时,耗尽层()A、变宽B、变窄C、宽度不变

当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层() A.大于B.变窄C.等于D.小于E.变宽F.不变

硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性

PN结具有单向导电性,可通过在PN结两端加正向或反向电压来证实。()

稳压管是利用PN结的()特性来实现稳压的。A、正向电压B、反向击穿电压C、最大整流电流

半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性

PN结又可以称为耗尽层。

PN结的单向导电性就是:加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。

PN结的反向接法是()。A、P接正电压B、N接正电压C、PN接正电压D、PN接负电压

稳压管是利用()特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑

给PN结加反向电压(反偏)时,耗尽层将()A、变窄B、变宽C、不变

PN结具有()性能,即加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。

当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变

PN结具有(),即加正向电压时,PN结处于(),加反向电压时,PN结处于()。

简述PN结反向电压—电流特性;反向饱和电流及方向;PN结的电压—电流特性。

给PN结加正向电压(正偏)时,耗尽层将()A、变窄B、变宽C、不变

外加反向电压,PN结中的耗尽层宽度将变宽。

PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(),流过PN结的电流()。

PN结未加外部电压时,扩散电流()漂流电流,加正向电压时,扩散电流()漂流电流,其耗尽层();加反向电压时,扩散电流()漂流电流,其耗尽层()。

二极管的最主要特性是()。PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变窄,当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽

PN结加反向电压,耗尽层将变厚。

当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将()

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当外加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。

稳压管是利用PN结的()特性来实现稳压的。A、正向电压B、反向击穿电压C、最大整流电流D、方向截止

判断题PN结具有单向导电性,可通过在PN结两端加正向或反向电压来证实。()A对B错

判断题外加反向电压,PN结中的耗尽层宽度将变宽。A对B错