场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压

场效应晶体管是用()控制漏极电流的。

A、栅源电流

B、栅源电压

C、漏源电流

D、漏源电压

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场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

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功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

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场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

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28、场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。

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场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。

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1、场效应晶体管是用（）控制漏极电流的。A．栅源电压B．漏源电压C．栅源电流D．漏源电流

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31、MOS晶体管属于电压控制器件，漏源电流IDS主要由栅源电压VGS控制，与漏源电压VDS无关。

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1、跨导gm反映了场效应管（）对漏极电流控制能力。A．栅源电压B．栅漏电压C．漏源电压D．源漏电压

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1、MOSFET利用（）电压控制（）电流的大小，是（）器件。A．栅漏，漏极，电流控制电流B．栅源，漏极，电压控制电流C．漏源，漏极，电流控制电压D．栅源，栅极，电流控制电压

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