开关电源中MOSFET管稳态工作时,栅板控制电流很小。() 此题为判断题(对，错)。
开关电源中MOSFET管稳态工作时,栅板控制电流很小。()
此题为判断题(对，错)。
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8、IGBT的饱和工作原理是（）。A．MOSFET的沟道夹断，饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。B．MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入，形成传导电流。C．MOSFET的沟道夹断，pnp晶体管工作在截至状态。D．MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。
3、4、有关MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流的关系说法不正确的是_____A．MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流呈现比例关系B．MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流的比值取决于参考管和输出管的参数C．只要MOSFET镜像电流源中的MOSFET承受相同的栅源电压，输出电流就与参考电流呈现镜像关系D．在其他参数对称的前提下，MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流的比值等于管子沟道宽长比的比值
4、有关MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流的关系说法不正确的是_____A．MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流呈现比例关系B．MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流的比值取决于参考管和输出管的参数C．只要MOSFET镜像电流源中的MOSFET承受相同的栅源电压，输出电流就与参考电流呈现镜像关系D．在其他参数对称的前提下，MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流的比值等于管子沟道宽长比的比值
6、下面关于MOSFET的跨导gm，说法错误的是________。A．MOSFET跨导是静态参数B．表征了MOSFET的放大能力C．表示MOSFET将栅源电压转换为漏极电流的能力D．随MOSFET工作点变化而变化