硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管一定工作在饱和区。() 此题为判断题(对，错)。
硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏
设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（ ）。 A． VT1饱和，VT2饱和 B． VT1截止，VT2饱和 C． VT1截止，VT2放大 D． VT1放大，VT2放大
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2B.0.20.3C.0.50.1D.0.50.4
当晶体管的发射结正偏，集电结正偏时，晶体管处于饱和状态。
当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。
晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。
在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（）A、NPN型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、PNP型硅管
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时，晶体管一定工作在饱和区。（）
当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、无能确定
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结、集电结均反偏D、发射结、集电结均正偏
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
单选题工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A发射结正偏，集电结反偏B发射结反偏，集电结正偏C发射结、集电结均反偏D发射结、集电结均正偏
单选题处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。A发射结正偏，集电结正偏B发射结反偏，集电结反偏C发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右