硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
某一晶体管工作在放大状态,测得其三个极的电位分别为- 0.7V、-1V、-6V,则下列说法错误的是()。 A.此晶体管为硅管B.- 0.7V为发射极C.-1V为基极D.此晶体管为PNP管
工作在放大状态的三极管,各极的电位应使三极管满足什么?( )A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结反偏,集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏
工作在放大状态的晶体管,各极的电位应使晶体管满足什么?( )A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结反偏,集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏
设所有的二极管X晶体管为硅管,二极管正向压降为0.3V,晶体管发射结导通压降UBE=0.7V,则图中各晶体管的工作状态正确的是( )。 A. VT1饱和,VT2饱和 B. VT1截止,VT2饱和 C. VT1截止,VT2放大 D. VT1放大,VT2放大
晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为()V,锗管约为0.3V。A.0.7B.0.5C.0.3D.0.1
双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏
晶体管处于截面状态时,其集电结()偏,发射结()偏。A、正;反B、反;正C、正;正D、反;反
晶体管能够放大的外部条件是()。A、发射结反偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结正偏,集电结反偏
晶体管处于截止状态时,发射结和集电结的偏置情况是()A、发射结反偏,集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()V和()V。
当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管一定工作在饱和区。()
当硅晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,该管工作在()。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、无能确定
工作在放大状态的晶体管,各极的电位应满足()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结正偏C、发射结、集电结均反偏D、发射结、集电结均正偏
晶体管工作在饱和区时,发射结(),集电结();工作在放大区时,集电结(),发射结()。(填写a正偏,b反偏,c零偏)
晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为()A、发射结反偏,集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
晶体管的PN结的正向压降为()。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
当晶体管的发射结正偏的时候,晶体管一定工作在放大区。
晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为(),锗管约为0.3V。A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
单选题工作在放大状态的晶体管,各极的电位应满足()。A发射结正偏,集电结反偏B发射结反偏,集电结正偏C发射结、集电结均反偏D发射结、集电结均正偏
单选题处于截止状态的晶体管,其工作状态为()。A发射结正偏,集电结正偏B发射结反偏,集电结反偏C发射结正偏,集电结反偏D发射结反偏,集电结正偏
多选题晶体管的PN结的正向压降为()。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
单选题晶体管处于截止状态时,集电结和发射结的偏置情况为()。A发射结反偏,集电结正偏B发射结、集电结均反偏C发射结、集电结均正偏D发射结正偏,集电结反偏
单选题若使晶体管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()。A发射结正偏,集电结正偏B发射结反偏,集电结反偏C发射结正偏,集电结反偏D发射结反偏,集电结正偏