硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
发射结处于正向偏置的晶体管,其一定是工作于放大状态。() 此题为判断题(对，错)。
晶体管工作在放大状态时,必须满足外加电压发射结(),集电结()。
硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。
为了使晶体管正常工作在放大状态,发射结必须加()电压,集电结必须加()电压。
硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。A.0.7B.0.5C.0.3D.0.1
为了使晶体管在放大器中正常工作，需要发射结外加（）电压，集电结外加（）电压。
NPN、PNP三极管工作放大状态时，其发射结（）。A、均加反向电压B、均加正向电压C、NPN管加正向电压，PNP管加反向电压D、NPN管加反向电压，PNP管加正向电压
当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。A、正向B、反向C、左向D、右向
晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
当晶体管的发射结加正向电压，集电结加反向电压时，晶体三极管处于（）状态。A、截止B、饱和C、放大D、自由
欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结（）偏，同时使集电结（）偏。
当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时，晶体管一定工作在饱和区。（）
发射结处于正向偏置的晶体管，其一定是工作于放大状态。（）
晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（）A、截止B、放大C、饱和D、损毁
若晶体管的发射结和集电结均处于正向偏置状态，则管子必定工作于饱和区。
双极型晶体管（BJT）放大偏置时，应在其发射结加（）电压，在集电结加（）电压。
晶体管在放大状态时，集电极为反向偏置，而发射结正向偏置。
当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
在晶体管放大电路中，发射结加的反向电压，集电极加的是正向电压。