硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。

硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。


相关考题:

晶体管工作在放大状态时,必须满足外加电压发射结(),集电结()。

硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()V和()V。

硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。

为了使晶体管正常工作在放大状态,发射结必须加()电压,集电结必须加()电压。

硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。

设所有的二极管X晶体管为硅管,二极管正向压降为0.3V,晶体管发射结导通压降UBE=0.7V,则图中各晶体管的工作状态正确的是(  )。 A. VT1饱和,VT2饱和 B. VT1截止,VT2饱和 C. VT1截止,VT2放大 D. VT1放大,VT2放大

晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为()V,锗管约为0.3V。A.0.7B.0.5C.0.3D.0.1

为了保证晶体管工作在放大区,双极型晶体管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。

工作在放大状态的NPN三极管,其发射结电压UBE和集电结电压UBC应为()。A.UBE>0,UBC<0B.UBE>0,UBC>0C.UBE<0,UBC<0D.UBE<0,UBC>0