Chip空焊判定NG。

Chip空焊判定NG。

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带头结点的单链表L为空的判定条件是()。
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TD－SCDMA系统中上行导频时隙(UpPTS)的结构是() A.GP（32chip）＋SYNC（64chip）B.GP（32chip）＋SYNC（128chip）C.SYNC（64chip）＋GP（32chip）D.SYNC（128chip）＋GP（32chip）
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用来判断记录集对象rs为空的判定条件是（）
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CC胶少的规格，以下说法正确的为（）。A、CHIP件无需完全包裹B、不搭件部位不作判定C、二极管需完全包裹D、参照判定样本
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以下不良点可直接判定NG的为（）A、部品短路、部品偏移、打拔偏移B、补材漏贴、补材重贴、部品缺件C、部品立碑、部品缺件、CC胶剥离D、CC胶剥离、CHIP缺件、漏点胶
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Chip偏移不可大于焊盘宽幅的1/3。
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如何判定空预器堵灰？有何危害？
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Chip集成电路
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吃空饷chÿ kîng xiǎng
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CHIP空焊、立碑的规格是：不可有。
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CHIP短路一律NG。
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CHIP不良的规格以下说法正确的是（）。A、CHIP短路判定NGB、CHIP偏移判定OKC、CHIP立碑判定NGD、CHIP空焊判定NG
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CHIP缺件一律NG。
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CHIP偏移的规格是：不可超过焊盘面积的1/2。
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CHIP偏移的规格，以下说法正确的为（）。A、需≤焊盘面积的1/2B、需≤焊盘面积的1/3C、需≤焊盘面积的1/4D、需≤焊盘面积的25%
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CHIP偏移以下说法正确的是（）。A、不可偏移焊盘面积的0.1mmB、不可偏移焊盘面积的1/3C、不可偏移焊盘宽度的1/2D、不可偏移焊盘面积的1/2
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补材重贴判定NG。
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波峰焊容易出现的不良现象有（）A、连锡B、拉尖C、空焊D、锡洞
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对于Chip电容的二级检验标准中，其最大允许的偏移为元件电极或PCB焊盘宽度的二分之一。
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国标要求黄曲霉毒素M1判定限为（）。A、0.01ng/mL（ppB.B、0.05ng/mL（ppbC、0.5ng/mL（ppB.D、0.2ng/mL（ppB.
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钢轨焊后正火处理可以由空冷变成风冷。
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CHIP电容偏移明显抹板造成判定责任归属为MAC。
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层压后，组件中虚焊电池片数量为6＜N≤12片，单片电池片虚焊面积＞1/30，该组件判定为OK
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栈通常采用的两种存储结构是（）；其判定栈空的条件分别是（），判定栈满的条件分别是（）。
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TD-SCDMA系统中上行导频时隙（UpPTS）的结构是（）A、GP（32chip）＋SYNC（64chip）B、GP（32chip）＋SYNC（128chip）C、SYNC（64chip）＋GP（32chip）D、SYNC（128chip）＋GP（32chip）
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填空题栈通常采用的两种存储结构是（）；其判定栈空的条件分别是（），判定栈满的条件分别是（）。
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名词解释题吃空饷chÿ kîng xiǎng
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