导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。 A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为（）伏；其门坎电压Vth约为（）伏。
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
硅管的导通电压（）。A、为0.3VB、为0.7VC、约为0.7VD、约为0.3V
单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A立即导通B若超过0.3V才导通C若越过死区电压就导通
单选题硅管的导通电压为（）A为0.3VB为0.7VC约为0.7VD约为0.3V