二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对，错)。
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
硅材料二极管的正向导通电压约为（）。A、0.1-0.3伏B、0.6-0.7伏C、1.2-1.5伏D、1-2伏
硅二极管的正向导通电压约为（）A、0.1-0.3伏B、0.6-0.7伏C、1.2-1.5伏D、1-2伏
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
判断题锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）A对B错
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。
填空题硅整流二极管承受正向电压的阻值很小，约为（）Ω，反向电阻则大于（）Ω，不符合要求时应予更换。