单选题硅管的导通电压为()A为0.3VB为0.7VC约为0.7VD约为0.3V

单选题
硅管的导通电压为()
A

为0.3V

B

为0.7V

C

约为0.7V

D

约为0.3V


参考解析

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可控硅导通以后,流过可控硅的电流决定于()。 A、外电路的负载B、可控硅的通态平均电流C、可控硅A~K之间的电压D、触发电压

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通

二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

二极管导通后硅管的导通电压一般取为()V。A.0.2B.0.4C.0.5D.0.7

二极管导通状态描述错误的是()A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后,其导通电流不变D、二极管导通后,其导通电压不变

二极管处于导通状态时,二极管的压降()。A、为零B、硅管0.7V,锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变

硅二极管两端加上正向电压时()。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道

可控硅一旦导通,即使控制级的电压去掉,元件依然保持继续导通状态。

可控硅加上正电压,即阳极接正电压,阴极接负电压,可控硅可导通。

可控硅导通后,即使触发电压消失,由于自身正反馈作用,可控硅仍保持导通。

当在可控硅的控制极施加正电压时().A、导通;B、施加时导通,离开后截止;C、没有反映;D、正电压导通,负电压截止。

硅三极管两端加上正向电压时()。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通

晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。

硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为()伏;其门坎电压Vth约为()伏。

导通后二极管两端电压变小,硅管约为()。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通

当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。A、超过死区电压时才开始导通B、到0.3才开始导通C、立即导通

单向可控硅可靠导通后,降低控制极电流,可控硅将()。A、仍然导通B、永远导通C、关断D、视阳、阴极电压极性而定

硅稳压管加正向电压超过()电压时导通。

单选题硅三极管两端加上正向电压时()。A立即导通B若超过0.3V才导通C若越过死区电压就导通

单选题可控硅电压调整器中,主硅和辅硅作用可叙述为()A触发辅硅导通是为了关断主硅,主硅导通增加辅发的砺磁电流B主,辅硅同时导通增加励磁电流C辅硅导通可使辅发电压上升