硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对，错)。
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。A、大于B、小于C、等于D、无法确定
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A0.4VB0.5VC0.6VD0.7V
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A对B错
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。