扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区

扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。

  • A、埋层
  • B、外延
  • C、PN结
  • D、扩散电阻
  • E、隔离区

相关考题:

集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺?各有什么优缺点?

把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路

扩散工艺现在广泛应用于制作()。A、晶振B、电容C、电感D、PN结

在大规模集成电路的制造中,更多采用的是MOS工艺集成电路,而不是双极型集成电路。

按制造工艺集成电路分为()。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路

集成电路是微电子技术的核心,它是以先进的工艺和具体技术为基础的高科技,没有扩散工艺、平面工艺等的技术突破,集成电路是不可能成功的,第一块集成电路诞生于哪一年()A、1945年B、1956年C、1958年D、1960年

根据集成电路制造工艺,最容易制作的元件是()。A、电感B、变压器C、大电容D、交流电阻

在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为()。A、600~750℃B、900~1050℃C、1100~1250℃D、950~1100℃

集成电路中元器件的特点是()。A、集成电路中元器件的性能比较一致,对称性好,适于作差动放大电路B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片,且工艺简单,故集成电路中三极管用得多,电阻用得少C、集成电路中的电容是用PN结的结电容,一般小于100PFD、集成电路中的三极管是低频小功率管E、集成电路中的二极管是高性能管

由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻,因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。

填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、()、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。

单选题集成电路是微电子技术的核心,它是以先进的工艺和具体技术为基础的高科技,没有扩散工艺、平面工艺等的技术突破,集成电路是不可能成功的,第一块集成电路诞生于哪一年()A1945年B1956年C1958年D1960年

问答题影响扩散工艺中杂质分布的因素

问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻,每次光刻目的是什么?

问答题双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么?

多选题以下哪几项是集成电路制作工艺的()。ASOPBBCDCBMOSDCMOSEBiMOSFBCG

问答题什么是扩散工艺?

问答题在双极集成电路制造中,为什么要采用外延和埋层工艺?

判断题集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。A对B错

问答题在集成电路制造工艺中,轻掺杂漏(LDD)注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场,从而防止热载流子的产生?

问答题在大规模集成电路中,闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。

问答题什么叫“结尖刺效应”,集成电路工艺中如何避免铝的结尖刺效应?

问答题离子注入工艺和扩散工艺相比的优点

判断题双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。A对B错

问答题在双极集成电路和MOS集成电路工艺中,为什么都要用外延层?

问答题集成电路制造工艺中,主要有哪两种隔离工艺?目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺,为什么?

多选题把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()A双极性集成电路BTTL集成电路CCMOS集成电路D单极性集成电路