下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。 A、膜集成电路B、半导体集成电路C、混合集成电路D、模拟集成电路
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区
在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
集成电路按照制造工艺可分为（）。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路
对于插入深度500mm的真空炉，渣层厚度一般不超过150mm。最大不能超过300mm。
一般来说，CAS的隔离罩深度估算公式为净空高度+渣层厚度+罩插入钢液中的深度（100～200mm）。
选用管子时，管子制造过程中造成的纵向刮伤，深度不得超过（）的额定管壁厚度。
采用氧-乙炔火焰喷焊修复工艺其喷焊层的厚度一般不超过（）mm。A、5B、3C、2D、1
防腐保温管的保温层中空洞深度不得超过（）保温层厚度
泵站电缆的要求：橡套电缆无明显损伤，不露出芯线绝缘或屏蔽层，护套损伤伤痕深度不超过厚度（），长度不超过（）（沿周长1/3），无（）现象。
问答题列举两种集成电路制造中的器件隔离结构，并比较其优缺点。
问答题双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？
填空题常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
问答题在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？
单选题在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）A集成电路制造（晶圆加工）B集成电路封装C集成电路测试D集成电路设计
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A扩散B化学机械抛光C刻蚀D离子注入
判断题外延生长过程中杂质的对流扩散效应，特别是高浓度一侧向异侧端的扩散，不仅使界面附近浓度分布偏离了理想情况下的突变分布而形成缓变，且只有在离界面稍远处才保持理想状态下的均匀分布，使外延层有效厚度变窄。A对B错
填空题集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。
判断题双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。A对B错
问答题在双极集成电路和MOS集成电路工艺中，为什么都要用外延层？
问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？